SBD内蔵電界効果トランジスタ シリコンNチャネルMOS形 TPC8A04-H 10個
用途
○ 高効率 DC-DC コンバータ用
○ ノートブック PC 用
○ 携帯電子機器用
特徴
?ショットキバリアダイオード内蔵タイプです。 VDSF = ?0.6 V (最大)
スイッチングスピードが速い。
ゲート入力電荷量が小さい。 : QSW = 13 nC (標準)
オン抵抗が低い。 : RDS (ON) = 2.6 mΩ (標準)
順方向伝達アドミタンスが高い。 : |Yfs| = 62 S (標準)
漏れ電流が低い。 : IDSS = 100 μA (最大) (VDS = 30 V)
取り扱いが簡単な、エンハンスメントタイプです。
: Vth = 1.3~2.3 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
絶対定格
ド レ イ ン ・ ソ ー ス 間 電 圧 VDSS 30 V
ド レ イ ン ・ ゲ ー ト 間 電 圧 (RGS = 20 kΩ) VDGR 30 V
ゲ ー ト ・ ソ ー ス 間 電 圧 VGSS ±20 V
ド レ イ ン 電 流
D C ID 18
パルス IDP 72 A
許 容 損 失 (t = 10 s) (注 2a) PD 1.9 W
許 容 損 失 (t = 10 s) (注 2b) PD 1.0 W
入札数量1で50個です。
50個の価格です。
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