メーカ: ROHM Semiconductor
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS: 詳細
技術: Si
取り付け様式: SMD/SMT
パッケージ/ケース: SOT-323-3
トランジスタ極性: P-Channel
チャンネル数: 1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧: 20 V
Id - 連続ドレイン電流: 200 mA
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: 1.2 Ohms
Vgs - ゲート-ソース間電圧: - 10 V, + 10 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧: 300 mV
Qg - ゲート電荷: 1.4 nC
最低動作温度: - 55 C
最高動作温度: + 150 C
Pd - 電力損失: 150 mW
チャネルモード: Enhancement
パッケージ化: Cut Tape
パッケージ化: Reel
構成: Single
高さ: 0.9 mm
長さ: 2 mm
製品: MOSFET
シリーズ: RU1C002ZP
トランジスタ タイプ: 1 P-Channel MOSFET
タイプ: Power MOSFET
幅: 1.25 mm
ブランド: ROHM Semiconductor
下降時間: 17 ns
製品タイプ: MOSFET
上昇時間: 4 ns
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: MOSFETs
標準電源切断遅延時間: 17 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 6 ns
別の部品番号: RU1C002ZP