高耐圧Nチャネル RF MOS FETデバイス DE275-102N06A　新品4個セット

Directed Energy Inc (IXYS) 製のDE Series DE275-102N06A、BeO（酸化ベリリウム）の新品4個セットです。

概ね40〜50MHz程度までの電力増幅素子です。
このデバイスの大きな特徴は1000Vの耐圧がある点です。
印加電圧はDC100〜200V程度で使えます。と云うよりも、低い運転電圧ではロス電圧が高いので旨みがありません。
データシートには主にC、 D、 E級アプリケーション（スイッチング動作などの飽和アンプ）向けに書かれていますが、VDS‐IDカーブ特性を見てもらうと、リニア動作に向く性能を持っていることがわかります。
ACを直接整流、プッシュプル構成で軽量な500W程度のRFアンプに如何でしょうか。

主要性能
VDSS 1000V
VGS ±20V
ID 8A
許容損失 590W
gm4.3S
RDS ON抵抗　1.5Ω
Tr 5ns
Tf 8ns
入力容量 1650pF
出力容量 80pF
帰還容量 18pF

詳細はネット検索してお調べ下さい

【メーカー】Directed Energy Inc (IXYS Company)
【型番】275-102N06A
【素材】BeO 取り扱いに注意して下さい。
【数量】4個で1セットの出品
【状態】新品　


このオークション以外に、同時に4個セット、2個セットを出品中です。

厳重に梱包して発送します。
ノークレームノーリターンにてよろしくお願いいたします。