面実装 P-ch FET 2SJ601-Z-E
2SJ601はP-channel MOS FETで、ソレノイド、モータ、ランプの駆動に適しています。
特徴
低ON抵抗
RDS(on)1 = 31 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 18 A)
RDS(on)2 = 46 mΩ MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 18 A)
低入力キャパシタンス
Ciss = 3300 pF TYP. (VDS = 10 V, VGS = 0 V)
ゲート保護ダイオード内臓
TO-252 package
メーカ: ルネサス(Renesas)
外形: TO-252 package
包装: リールカット
販売単位: 2個(テープをカットしてお送りします)
Pbフリー: Pbフリーです
※EOL予定品です(2022/8時点)
データシートです。
https://drive.google.com/file/d/1uq-gcHLTgaCuw9jAuV8NuDwbZaHSKeoy/view?usp=sharing