RENESAS 1S2075KTD-E 30個 (1817)

  • Окончание торгов06/04/2024 04:46 AM (Tokyo)
  • Текущее время 05/28/2024 04:46 AM (Tokyo)
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Описание товара

RENESAS 1S2075KTD-E
シリコンエピタキシャルプレ-ナ形ダイオ-ド
高速度スイッチング用
特長
低端子間容量です。(C≦3.5pF)
逆回復時間が小さいです。(trr≦8.0ns)
ガラス封止外形であるため高信頼度です。
絶対最大定格
(Ta = 25°C)
項目 記号 定格値 単位
せん頭逆電圧 VRM 35 V
逆電圧 VR 30 V
平均整流電流 IO 100 mA
せん頭順電流 IFM 450 mA
サ-ジ順電流 IFSM *1 600 mA
許容損失 Pd 250 mW
接合部温度 Tj 175 °C
保存温度 Tstg 65~+175 °C
【注】 1. 接続時間1s 以内のサ-ジ電流に対する許容値

電気的特性
(Ta = 25°C)
項目 記号 Min Typ Max 単位 測定条件
順電圧 VF ― ― 0.8 V IF = 10mA
逆電流 IR ― ― 100 nA VR = 30V
端子間容量 C ― ― 3.5 pF VR = 1V, f = 1MHz
逆回復時間 trr ― ― 8.0 ns IF = IR = 10mA, Irr = 1mA
30個の価格です。
入札数量1で30個です。
長期在庫品(新品)
定形外 120円


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